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三星 2017 年狂砸260 亿美元资本支出,为英特尔与台积电总和

原标题:三星 2017 年狂砸260 亿美元资本支出,为英特尔与台积电总和

【Technews科技新报】随着市场竞争加剧,半导体的竞争从产品、技术,延伸到资本支出上。根据市场调查机构 IC Insights 的最新调查报告显示,2017 年全球半导体产业的资本支出将达到 908 亿美元,较 2016 年成长 35% 。其中,韩国半导体大厂三星的资本支出将翻倍成长,由 2016 年 113 亿美元,成长至 2017 年的 260 亿美元,为英特尔及台积电全年资本支出的总和。

报告中表示,三星在 2017 年的资本支出达到 260 亿美元,不但金额是史无前例的纪录,其年成长幅度也是从未见过的新高。IC Insights 进一步预计,三星在 2017 年第 4 季将有 86 亿美元的资本支出,约占全体半导体产业当季资本支出 262 亿美元的 33%。而三星在 2017 年第 4 季的销售金额,则约等于全球半导体产业销售金额的 16%。

至于,三星的 260 亿美元资本支出将会如何分配?IC Insights 表示,其中在 3D NAND Flash 的方面,将花费 140 亿美元在平泽(Pyeongtaek)工厂的产能扩大计划上。另外,70 亿美元将用在 DRAM 的制程转移,以及填补因为制程转移而损失的容量消耗上。至于,在晶圆代工的部分,将花费 50 亿美元用于提升 10 纳米制程的制造能力。

对于三星的扩大资本支出,IC Insights 表示,将对于全球半导体产业造成影响。而首当其冲的,就是在 3D NAND Flash 产业上。IC Insights 解释到,未来 3D NAND Flash 将可能因为三星的扩大产能而造成产量过剩的情况。不过,这个产量过程并非是三星一家公司所造成,而是三星带给其他厂商,包括 SK 海力士、美光、东芝、英特尔等公司的压力,在某些特别领域的资本支出增加,以提升产能所造成。

另外,IC Insights 也指出,三星这样的资本支出规模,将足以阻止任何中国在 DRAM 及 3D NAND Flash 等产品新创公司进入市场的希望。尤其,在中国的相关新创公司于技术上无法与三星、SK 海力士、美光等公司竞争的情况之下,如果没有一家大型的相关合资企业在中国出现,则中国的厂商将难以与这些领先者相互竞争。

(首图来源:三星官网)返回搜狐,查看更多

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