3700亿!重启DRAM计划,中国芯“反围剿”胜算几何?

原标题:3700亿!重启DRAM计划,中国芯“反围剿”胜算几何?

文:沈思涵 石丹

ID:BMR2004

紫光准备发力DRAM芯片领域。

6月30日,紫光集团宣布组建DRAM事业群,并由曾任工信部电子信息司司长的刁石京担任事业群董事长,高启全担任事业群CEO。

公开资料显示,被任命为事业群董事长的刁石京,其曾任工信部电子信息司司长一职,并且在ICT(信息、通讯和技术)行业有着超过30年的工作经验。而担任事业群CEO的高启全,也在半导体和DRAM领域从业接近40年的时间,其更是有“台湾存储教父”之称。

此次紫光DRAM事业群的正式确立,将推进紫光DRAM内存的发展进程。但与此同时,国内存储芯片产业距离世界一流行列还有很大的差距,国产DRAM内存崛起之路任重而道远。

发力DRAM为哪般?

在电子产业链中,有人将存储芯片比喻为行军打仗的粮草,扮演着重要的角色。

存储芯片分为闪存和内存,闪存包括 NAND FLASH 和 NOR FLASH,内存主要为DRAM。DRAM内存主要用于电脑、手机和部分消费电子产品。

紫光集团是国内三大存储芯片的研发企业之一。现阶段,由紫光国产研制的DDR3内存已经在去年正式量产商用,这也是国产DDR3内存技术的一大突破。

至于当前市面主推的DDR4内存,国内相关企业还未有正式产品面世。尽管有消息称紫光DDR4内存将于今年年底前推向市场,但截至目前还未有更进一步的消息透露。

对此,《商学院》记者向紫光集团相关负责人了解具体详情,对方表示,DDR4内存仍在开发当中,但具体推出时间仍要以公告为准。

而在3D NAND闪存领域,紫光旗下的长江存储已经研发并小批量生产了32层3D NAND闪存芯片。据了解,长江存储于2017年研制成功中国第一颗3D NAND闪存芯片,并在去年8月公开发布其XtackingTM技术。

虽然距离主流的64层甚至先进的128层3D NAND闪存芯片生产水平还有相当差距,但紫光32层3D NAND芯片的成功研制,依然是国产闪存芯片结构的一大突破。随着这一进展公布,这也给了紫光发力DRAM闪存增添了不少信心。

西南证券电子分析师陈杭对此表示,“从整个行业的角度讲,很多存储芯片厂商都会同时发展NAND闪存和DRAM芯片产业,紫光之前一直在做NAND闪存,现在发力DRAM也是符合行业规律的。”

事实上,紫光早在2015年就有意进入DRAM领域,但由于当时230亿美元收购美光计划失败,紫光也延后了DRAM内存的开发进度,并先行确立NAND Flash的发展方向。

随着DRAM事业群宣布组建,紫光集团也将同步发展3D NAND闪存和DRAM内存,完善产品线布局。

“发展国内存储芯片产业既是形势所需,同时我国对于这一芯片的需求量也非常大。现在这一产业基本上被美国和韩国垄断,国内几乎在这一块没有市场。”陈杭指出。

国产崛起关键何在?

为了缓解国际内存价格动荡局势的影响,国产内存的设计和研发进程正在加快。而在紫光集团之前,国内也已经有长鑫存储、福建晋华等两家企业介入DRAM领域。

在这其中,长鑫存储相对发展较为顺利,其预计最快将在今年年底或2020年初实现DRAM芯片量产,初期产量在每月1万片左右。据长鑫存储董事长兼CEO朱一明表示,目前长鑫存储已经拥有多达16000项专利申请。

而另一家企业福建晋华则没那么幸运。在2018年10月,由于与美光的专利纠纷,从而导致其被美国商务部列入禁售名单,无法从美国进口任何元器件和技术,不得已陷入停摆。

此次禁售事件为国产存储芯片的发展敲响了一声“警钟”。如何解决专利纠纷,在发展技术的同时避开专利“雷达”,成了摆在国产存储芯片厂商面前的一道难题。

对此,紫光集团相关负责人向《商学院》记者表示,“专利保护非常关键,我们主要是以创新加合作两条路径解决,其中创新就是说走自主研发方向,加大自主开发的投入力度;合作就是包括并购、购买专利、交叉授权、合作研发等多种途径来解决问题。”

除了专利问题之外,要想发展国产存储芯片,在人才、资金等方面的投入力度也极为重要。

“存储芯片产业可以说是资产最重的产业之一,单纯开发一条产业线就需要几百亿美金投入,所以说必须有雄厚的资本支持,这是其一。”陈杭指出,“其二就是对于人才的培养和引进,必须从国内的高端学府中设置人才导向,同时在国外去引进相关的优秀人才,这样产业才能发展。”

对于现阶段的紫光集团而言,其在武汉、南京、成都三地均有产业基地布局,解决生产DRAM芯片问题不大,不过在良品率方面,紫光仍然需要逐步提高才能扩大产量。

“DRAM的产业集中度比NAND闪存要高,这一块的研发难度自然要更大。从技术上说,目前主流的DRAM厂商的工艺水平都已经进入20nm,而紫光目前是针对现有主流DRAM内存进行设计开发,但是其也希望做到20纳米以下制程,这对于紫光在芯片设计和良品率生产上,都提出了很大的挑战。”集邦咨询(TrendForce)电子产业分析人士表示。

如何改变既有格局?

目前,我国已经是全球第一大DRAM消费国,但基本消费均依靠国外进口,几乎没有自主产能。

根据智研咨询的报告显示,2018年我国集成电路进口额达到3120亿美元,其中存储芯片为1230亿美元(同比增长1188.99%),占集成电路进口总额的39%。

过度依赖进口除了会面临断供风险之外,对于自身发展也将愈加不利。陈杭认为,对于存储芯片产业,国内只有一个选择,就是加大投入自主研发。

不过,要想改变既有格局并不容易,毕竟全球DRAM行业已呈“三足鼎立”之势。

据DRAMeXchange统计的数据显示,2018年,三星电子(韩国)、SK海力士(韩国)、美光科技(美国)等三大厂商基本占据全球95%的DRAM内存产量。全球DRAM总销售额同比增长39%,达到历史最高的996.6亿美元。

存储器产品有自身的特点,它的设计投入非常大,同时研发周期也很长,当然它的成本和售价也不低。

尽管全球DRAM市场基本上均被这三大厂商瓜分完毕,但对于紫光集团来说,并不是没有机会。

紫光集团董事长赵伟国曾在去年公开提到,紫光准备在未来10年内投资1000亿美元用于芯片制造领域,现阶段预计将筹资到3700亿人民币。

据了解,紫光除了雄厚资本投入,其集团旗下的西安紫光国芯、紫光国微和新华三等在技术和专利上均有不少积累。紫光集团希望借助这些资源基础,推动其在DRAM领域的研发进展。

“紫光集团有大量资本支持,在产能规划、人才招募上不会有太大问题。而全球三大存储芯片厂商中,美光的营收市占率相对较低,其一大半市场也依靠中国市场。”集邦咨询分析人士指出,紫光要赶超一线厂商,可以以美光作为目标。

不过,该分析人士也预估道,“无论是NAND Flash还是DRAM内存技术,两者研发难度都很高。同时,紫光集团还要考虑DRAM项目落地的问题,其之前已有相关的项目经验,接下来应该迅速完成DRAM新厂的兴建,助力其DRAM事业群的发展。”

对此,《商学院》将持续关注。返回搜狐,查看更多

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