5G、国防需求助攻,英特磊乐观明年更旺

原标题:5G、国防需求助攻,英特磊乐观明年更旺

芯科技消息(文/罗伊)三五族半导体厂英特磊7日召开财报会,展望后市,董事长暨总经理高永中表示,在5G推动下,砷化镓、磷化铟产品线订单稳定成长,目前用于国防的锑化镓国际订单也持续增加,加上新厂效益显现,若中美贸易战不再造成太大影响,明年全年业绩仍有望年增10-20%。

回头展望第4季,高永中指出,延续第3季各产品线需求强劲,无论是在砷化镓高速VCSEL,5G相关HBT、PIN磊芯片或锑化镓红外磊芯片等量产订单均走在成长轨道,整体第4季将是今年业绩高峰,并带动今年全年同样较去年成长10-13%。

新订单方面,高永中透露,已取得大厂新的射频高频pHEMT订单,本季量产,预估明年贡献业绩;锑化镓红外磊芯片方面明年有望再取得国防大厂量产订单;磷化铟方面与客户进一步开发相关生物感测雷射芯片,预期都将帮助营收。

为应对客户需求强劲,英特磊将于新厂扩增用于磷化铟的生产机台认证,同时预计将锑化镓用的大MBE机台换成小型机台,并视订单需求决定再进一步增加第3台大型MBE机台,主要希望未来能更灵活调度产能。资本支出方面,高永中预估今年约200万美元,明年将加倍。

新研发方面,英特磊已与国外氮化镓专业公司合作、共同开发量产技术,高永中强调,随未来双方在技术、客户上「互通有无」,乐观明年起陆续可见效益显现。

英特磊第3季合并营收1.83亿元新台币(单位下同),季增8.7%、年增9.7%,毛利率34.8%,季减0.8个百分点、年增4.5个百分点;税后净利2125万元,季增26.7%,年大幅增209.6%,近5-6季高点,每股盈余0.58元。

英特磊主要产品为砷化镓、磷化铟及锑化镓磊芯片,以分子束磊晶法(MBE)生产芯片,与其他用化学气相沉积法(MOCVD)生产的厂商不同,在控制磊晶厚度上较有优势。

第3季产品比重方面,以砷化镓为最多,占49.3%,磷化铟占36.8%第二,锑化镓13.7%第三。毛利表现方面,锑化镓最优,磷化铟第二,接着是砷化镓。高永中会中多次表示,锑化镓是他中长期最看好的超级之星(Superstar),成长动能最好。(校对/ Jurnan )

英特磊总经理高永中。图片来源:芯科技返回搜狐,查看更多

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