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南亚科:韩系新厂是DRAM最大变量 恐跌40%

原标题:南亚科:韩系新厂是DRAM最大变量 恐跌40%

针对中国大陆合肥市将串联台湾与日本,进军DRAM市场的议题,南亚科总经理李培瑛昨(15)日表示,短期对产业没有影响,南亚科也无代工计划。第2季DRAM市况与第1季差异不大,韩系DRAM厂三星与海力士新厂是否有产能开出,将是影响下半年DRAM市况最大变量。

大陆进军DRAM短期无影响 未有代工计划

李培瑛表示,中国大陆积极规划进军DRAM市场,除坂本幸雄与合肥市政府合作外,还有紫光及武汉新芯也传出有意进军DRAM市场。李培瑛认为,当前3大DRAM厂三星、海力士与美光都没有意愿合作参与,预期短期对DRAM产业应没有影响。

李培瑛同时指出,南亚科将会参与中国大陆市场,只是将仅扮演供货商角色,并没有其他代工或合作的计划。

韩系新厂是DRAM最大变量

李培瑛指出,今年手机销量虽不如预期,不过,内建内存容量增加,消费性市场是相对稳定的DRAM应用市场。

目前看来,第2季的状况可能与第1季相当,标准型内存报价持续有压,也部分拖累到手机、服务器、消费型等其他利基型内存价格走势。因此南科积极调整产品组合,消费型产品已占约65%至70%,低功率产品占比约10%,后续希望能持续提升。

至于供应端方面,李培瑛表示,下半年三星与海力士新制程产能将产出,这是在预期中,三星与海力士新厂是否有产品开出,将是影响下半年DRAM市况最大变量。

李培瑛说,若韩系DRAM厂能理性选择,预期今年DRAM平均跌幅将与去年相当,约20%至30%;若韩系DRAM厂新厂产能开出,今年DRAM平均跌幅恐将扩大到25%至40%。

针对法人关心的20纳米制程进展,李培瑛表示,目前仍处建厂阶段,预计今年10月装机,明年第1季试产,明年底将有产出,对位产出贡献将主要在2018年及2019年。返回搜狐,查看更多

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