9月，据行业报告，SK海力士3D NAND技术路线图显示，3D NAND层数已经突破600层，正在向更高层数迈进。2026年全球存储市场规模预计达2200亿美元，NAND Flash和DRAM分别占据52%与48%份额，企业级SSD需求增速显著，预计年增14%。3D NAND层数的持续攀升，是存储厂商在摩尔定律放缓背景下，通过三维堆叠技术持续提升存储密度和降低成本的核心路径，存储技术正在不断突破物理极限。
3D NAND闪存是当前主流的非易失性存储技术，广泛应用于固态硬盘、智能手机、数据中心等领域。与传统的2D NAND在平面上排列存储单元不同，3D NAND将存储单元垂直堆叠起来，通过增加堆叠层数来提升存储密度。在平面缩微面临物理极限的情况下，三维堆叠成为提升存储密度、降低单位比特成本的主要途径。从最初的32层、64层，到128层、176层、232层，再到现在的300层以上、突破600层，3D NAND的堆叠层数在短短十年间增长了近20倍，存储密度提升了数十倍，单位比特成本下降了90%以上。SK海力士、三星、美光、铠侠、西部数据等全球存储巨头都在竞相推进3D NAND层数的提升，层数竞争已经成为存储厂商技术实力的重要标志。突破600层意味着在相同的芯片面积上，可以集成更多的存储单元，实现更高的存储容量和更低的成本，对于企业级SSD等高容量需求场景尤其具有重要意义。
然而，3D NAND层数的持续攀升也面临着越来越多的技术挑战。随着层数的增加，存储孔的深宽比越来越大，刻蚀难度急剧上升，如何保证高深宽比存储孔的均匀性和一致性成为关键难题；多层堆叠带来的应力累积和热预算问题也越来越突出，影响器件的可靠性和性能；字线、位线的互连电阻和电容增加，导致读写速度下降和功耗上升；电荷俘获层的电荷保持能力也随着层数增加而面临挑战，影响数据的长期可靠性。为了应对这些挑战，存储厂商正在从多个方面进行技术创新：在刻蚀技术方面，采用新型的刻蚀工艺和设备，提升高深宽比存储孔的刻蚀精度和均匀性；在堆叠架构方面，从字符串堆叠（String Stack）向双堆叠、多堆叠架构演进，降低单次堆叠的层数和难度；在材料方面，采用新型的电荷俘获材料和栅极材料，提升器件的性能和可靠性；在互连技术方面，采用钨、钼等低电阻材料和新型互连结构，降低互连电阻；在单元结构方面，探索铁电存储、相变存储、磁存储等新型存储技术，作为3D NAND的替代或补充。3D NAND层数突破600层，是存储技术持续迭代的重要里程碑。未来，3D NAND层数有望继续向800层、1000层迈进，同时新型存储技术也将逐步成熟，共同推动存储技术进步。对于中国存储产业来说，这既是挑战也是机遇，长江存储等国内企业需要加大研发投入，加快技术迭代，实现存储芯片的自主可控。返回搜狐，查看更多