紫光存储芯片产业基地落户重庆 国产DRAM不远了

原标题:紫光存储芯片产业基地落户重庆 国产DRAM不远了

不久前紫光宣布组建紫光DRAM事业群,昨天又有后续消息传来,紫光集团与重庆市政府签署紫光存储芯片产业基地项目合作协议,预计2021年实现量产,至2030年将实现100万片的产能。

紫光集团日前在2019中国国际智能产业博览会上,首次公开展示了紫光集团旗下长江存储的64层NAND Flash Wafer,以及第二代64层256Gb 3D NAND。

长江存储预计并规划在2020年跳过96层3D NAND技术进入128层3D NAND阶段,这将大幅度缩短与国际大厂在技术上的差距,加速中国存储芯片国产化目标实现的进程。

此次重庆市人民政府与紫光集团签署紫光存储芯片产业基地项目合作协议,紫光集团将在重庆建设包括DRAM总部研发中心在内的紫光DRAM事业群总部、DRAM存储芯片制造工厂。

目前韩国三星和海力士,美国的镁光、英特尔、闪迪,日本的东芝六家厂商,垄断了全球九成的产量,其中随着5G商用逼近以及云计算、IDC业务的拉动,移动终端、服务器和PC侧的消费需求增长明显。各大厂商扩产热情不减,包括三星在韩国平泽的P1厂房和Line 15生产线,SK海力士的M14生产线,以及美光在广岛的Fab 15和Fab 16的扩产,可见全球对DRAM市场仍然看好。

紫光集团早在2014年期间就曾表达出发展DRAM的决心,此次紫光集团的存储产业基地的项目落地,紫光集团在重庆带来的将是又一DRAM重镇,不仅将进一步弥补国内DRAM自主产能的瓶颈,同时也让行业正在走出2018年去库存带来的价格颓势回暖。返回搜狐,查看更多

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