通过前面的教程，我们已经对VASP计算的基础操作有了一个比较全面的认识了，前面的教程中包含了一些简单的计算例子，大家可以参照教程反复练习，对于更具体的算例将会在后面的教程中呈现给大家。同时前面的教程也介绍了一些常用的小程序，这个大家自己多加联系，我们在后面的教程里面会用到。我们将通过今天得教程把前面的内容总结一下，同时将计算过程中需要注意的参数强调一下。
VASP计算任务都是通过INCAR文件里面的参数来控制的，因此我们在准备INCAR文件时一定要保证参数设置正确，才能顺利的开始计算任务，得到正确的计算结果。下面来说一下计算时需要注意的一些参数设置。
- 结构优化
①只进行离子弛豫
IBRION = 2
ISIF = 2
②块体晶格参数优化
IBRION = 2
ISIF = 3
③二维材料晶格参数优化
a．IBRION = 2；ISIF = 3，OPTCELL 写入 110，高精度计算
b．IBRION = 2；ISIF =４，高精度计算
- 态密度和能带
①态密度计算：
ISTART=1；ICHARG=11；ISMEAR= -5；LORBIT=11
需要将自洽计算得到的CHG、CHGCAR拷贝至同一目录下
②能带计算:
ISTART= 1；ICHARG = 11
NBANDS # 一般可以用默认，可以根据情况适当增加
ISMARE # 半导体或绝缘体用0，金属用1
③杂化泛函计算能带：
杂化泛函计算能带的INCAR文件可以通过VASPKIT生成，这里只给出部分参数，面计算实例的教程会给出完整INCAR。
GGA=PS # 选用的赝势文件为PBBEsol，=PE为PBE的方法)
LHFCALC = .True.
PRECFOCK = Normal
TIME = 0.4
HFSCREEN = 0.2
AEXX = 0.25 # 25% HF exact exchange, adjusted this value to reproduce experimental band gap
NPAR=16 #使用核数为4,16,64此种)
ALGO=ALL返回搜狐，查看更多
- VASP难收敛的问题